中國大陸業者在NAND Flash產業鏈的相關布局與投資不斷開展,成為大陸半導體業揮軍全球的下一波焦點。集邦科技旗下拓墣產業研究所最新研究報告顯示,隨著紫光國芯(原同方國2016年勞工貸款 芯)投資、武漢新芯擴廠,以及國際大廠如三星、英特爾增加產能,預估2020年大陸當地NAND Flash月產能達59萬片,相較於2015年成長近7倍。

集邦預估,2012~2016年NAND Flash生產端年平均位元成長率達47%,其終端消費端需求年平均位元成長率亦高達46%,顯示NAND Flash仍為高速發展產業。拓墣研究經理林建宏表示,中國大陸在突破記憶體自製缺口的政策方針下,將發展NAND Flash晶圓製造,可由NAND Flash產品特性、3D NAND需求、新興市場的成長空間及國際半導體大廠在大陸投資四大方向切入。



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在NAND Flash產品特性部分,產品在消費性應用下,價格是主要考量,因此生產成本的控制至為關鍵。大陸廠商宜透過折舊認列年限調整、租賃、稅負與資金成本等因素操作為切入點。

在製程微縮部分,NAND Flash在進入2x奈米世代後,製程微縮帶來的成本優勢越來越不明顯,推遲國際NAND Flash大廠技術進程,因此3D NAND Flash成為成本繼續降低的重要方法。林建宏指出,產品由2D走到3D,需有新的技術領域加入,若能整合跨領域人才和技術,能成為嘉義小額借款2萬 大陸廠商追趕的機會。

在市場需求上,雖然NAND Flash產業短期仍處於供過於求,但長期而言新興市場仍有成長空間。大陸隨著一帶一路政策發展的策略,對開發其周遭新興市場需求有相當助益,妥善安排資源與發揮對新興國家的影響力,將是大陸獨有的優勢所在,也可創造出更多元的NAND Flash需求。

另外,國際半導體廠商積極投入大陸市場,在當地培養有經驗和技術的人才,支持廠房運維的高度需求,有助降低大陸當地業者發展自主NAND Flash製造的門檻。大陸透過廣大的人力和市場成功吸引國際廠商的進駐,為大陸發展NAND Flash產業帶來最好機會。

目前在大陸當地生產NAND Flash的業者以三星為主,英特爾已決定將大連廠改為NAND Flash廠,預計自今年第4季加入生產行列。在當地業者部分,武漢新芯已決定新建記憶體晶圓廠,將從3月底開始進行建廠工程,目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片,初期規畫將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產品,代表了近兩年來中國大陸極力發展記憶體產業的態勢下,將開始進入新的里程碑。

(工商時報)



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